可控硅芯片共包含10大類系列產(chǎn)品：
一、單向可控硅芯片
二、雙向可控硅芯片
三、高壓單向可控硅芯片
四、高壓雙向可控硅芯片
五、三象限雙向可控硅芯片
六、四象限雙向可控硅芯片
七、高壓單向軟啟動可控硅芯片
八、門極靈敏型可控硅芯片
九、電焊機專用可控硅芯片
十、壓接式高壓單向可控硅芯片
一、單向可控硅芯片
芯片尺寸
正向電流
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
門極觸發(fā)電流
門極觸發(fā)電壓
通態(tài)最大浪涌電流
斷態(tài)電壓臨界上升率
通態(tài)電流臨界上升率
通態(tài)峰值壓降
維持電流
結(jié)溫范圍
mm
A
V
mA
V
A
V/us
A/us
V
mA
℃
2.4*2.4
8
800
≤20
≤1.50
90
200
30
1.45
≤30
-40～125
2.9*2.9
12
800
≤25
≤1.50
130
200
40
1.45
≤35
-40～125
3.2*3.2
16
800
≤30
≤1.50
175
500
40
1.45
≤40
-40～125
3.9*3.9
25
800
≤35
≤1.50
275
500
40
1.45
≤50
-40～125
4.4*4.4
30
800
≤35
≤1.50
330
500
400
1.45
≤50
-40～125
6.4*6.4
55
800
≤35
≤1.50
460
500
40
1.45
≤50
-40～125
6.2*7.3
30
1600
≤35
≤1.50
520
800
50
1.45
≤60
-40～125
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。
注3：di/dt@125℃@2XIT。
注4：VTM@3XIT。
注5：陽面、陰面金屬為銀，陰面金屬可做鋁。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
芯片尺寸
正向電流
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
門極觸發(fā)電流
門極觸發(fā)電壓
通態(tài)最大浪涌電流
斷態(tài)電壓臨界上升率
通態(tài)電流臨界上升率
通態(tài)峰值壓降
維持電流
結(jié)溫
管芯尺寸
保護膠顏色
mm
A
V
mA
V
A
V/us
A/us
V
mA
℃
mm
6.8*6.8
20
1100
10-40
≤1.50
400
≥800
≥50
≤1.30
10-80
-40～125
8.0*8.0
綠色+紅色
7.6*7.6
30
1100
20-50
≤1.50
600
≥800
≥50
≤1.30
20-100
-40～125
9.0*9.0
綠色+紅色
8.6*8.6
40
1100
20-50
≤1.50
800
≥800
≥50
≤1.30
20-100
-40～125
10.0*10.0
綠色+紅色
9.6*9.6
50
1100
20-60
≤1.50
1000
≥800
≥50
≤1.30
20-100
-40～125
11.0*11.0
綠色+紅色
11.5*11.5
70
1100
20-60
≤1.50
1400
≥800
≥50
≤1.30
25-100
-40～125
13.0*13.0
綠色+紅色
13.8*13.8
100
1100
20-70
≤1.50
2000
≥1000
≥100
≤1.30
25-150
-40～125
15.0*15.0
綠色+紅色
15.0*15.0
120
1100
30-70
≤1.50
2400
≥1000
≥100
≤1.30
30-150
-40～125
16.0*16.0
綠色+紅色
16.5*16.5
150
1100
30-70
≤1.50
3000
≥1000
≥100
≤1.30
30-150
-40～125
18.0*18.0
綠色+紅色
19.1*19.1
180
1100
30-70
≤1.50
3600
≥1000
≥100
≤1.30
30-150
-40～125
21.0*21.0
綠色+紅色
21.6*21.6
200
1100
30-70
≤1.50
4000
≥1000
≥100
≤1.30
30-150
-40～125
23.0*23.0
綠色+紅色
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。
注3：di/dt@125℃@2XIT。
注4：VTM@3XIT。
注5：陽面、陰面金屬為銀，陰面金屬可做鋁。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
注7：本系列產(chǎn)品享受發(fā)明專利（CN1783516A）。
二、雙向可控硅芯片
|
芯片尺寸 |
正向電流 |
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓 |
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ) |
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅳ) |
門極觸發(fā)電壓 |
通態(tài)最大浪涌電流 |
斷態(tài)電壓臨界上升率 |
通態(tài)電流臨界上升率 |
通態(tài)峰值壓降 |
維持電流 |
結(jié)溫 |
管芯尺寸 |
保護膠顏色 |
| mm | A | V | mA | mA | V | A | V/us | A/us | V | mA | ℃ | mm |
|
| 7.6*7.6 | 50 | 800～1200 | 10-50 | 30-100 | ≤1.50 | 600 | 1000 | 80 | ≤1.50 | 20-100 | -40～125 | 9.0*9.0 | 紅色 |
| 9.6*9.6 | 80 |
800～1200 |
15-50 | 30-100 |
≤1.50 |
950 | 1000 | 80 |
≤1.50 |
20-100 |
-40～125 |
11.0*11.0 |
紅色 |
| 11.5*11.5 | 100 |
800～1200 |
15-50 | 30-100 |
≤1.50 |
1300 | 1200 | 100 |
≤1.50 |
20-100 |
-40～125 |
13.0*13.0 |
紅色 |
| 13.8*13.8 | 150 |
800～1200 |
30-60 | 50-120 |
≤1.50 |
1800 | 1200 | 100 |
≤1.50 |
25-150 |
-40～125 |
15.0*15.0 |
紅色 |
| 16.5*16.5 | 200 |
800～1200 |
30-70 | 50-140 |
≤1.50 |
2800 | 1200 | 100 |
≤1.50 |
20-150 |
-40～125 |
18.0*18.0 |
紅色 |
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。
注3：di/dt@125℃@2XIT。
注4：VTM@2XIT。
注5：陽面、陰面金屬為銀，陰面金屬可做鋁。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
三、高壓單向可控硅芯片
|
芯片尺寸 |
正向電流 |
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓 |
門極觸發(fā)電流 |
門極觸發(fā)電壓 |
通態(tài)最大浪涌電流 |
斷態(tài)電壓臨界上升率 |
通態(tài)電流臨界上升率 |
通態(tài)峰值壓降 |
維持電流 |
結(jié)溫 |
管芯尺寸 |
保護膠顏色 |
| mm | A | V | mA | V | A | V/us | A/us | V | mA | ℃ | mm |
|
| 6.8*6.8 | 20 | 1800 | 10-40 | ≤1.50 | 440 | ≥800 | ≥50 | ≤1.50 | 10-80 | -40～125 | 8.0*8.0 | 白色 |
| 7.6*7.6 | 30 | 1800 | 20-50 | ≤1.50 | 660 | ≥800 | ≥50 | ≤1.55 | 20-100 | -40～125 | 9.0*9.0 |
白色 |
|
8.6*8.6 |
40 | 1800 | 20-50 |
≤1.50 |
880 |
≥800 |
≥50 |
≤1.55 |
20-100 |
-40～125 |
10.0*10.0 |
白色 |
|
9.6*9.6 |
50 | 1800/2000 | 20-60 |
≤1.50 |
1100 |
≥800 |
≥50 |
≤1.55 |
20-100 |
-40～125 |
11.0*11.0 |
白色 |
|
11.5*11.5 |
70 |
1800/2000 |
20-60 |
≤1.50 |
1550 |
≥800 |
≥50 |
≤1.55 |
25-100 |
-40～125 |
13.0*13.0 |
白色 |
|
13.8*13.8 |
100 |
1800/2000 |
20-70 |
≤1.50 |
2200 |
≥1000 |
≥100 |
≤1.55 |
25-150 |
-40～125 |
15.0*15.0 |
白色 |
|
15.0*15.0 |
120 |
1800/2000 |
30-70 |
≤1.50 |
2600 |
≥1000 |
≥100 |
≤1.55 |
30-150 |
-40～125 |
16.0*16.0 |
白色 |
| 16.5*16.5 | 150 |
1800/2000 |
30-70 |
≤1.50 |
3300 |
≥1000 |
≥100 |
≤1.55 |
30-150 |
-40～125 |
18.0*18.0 |
白色 |
|
19.1*19.1 |
180 |
1800/2000 |
30-70 |
≤1.50 |
4000 |
≥1000 |
≥100 |
≤1.55 |
30-150 |
-40～125 |
21.0*21.0 |
白色 |
| 21.6*21.6 | 200 |
1800/2000 |
30-70 |
≤1.50 |
4500 |
≥1000 |
≥100 |
≤1.55 |
-0-150 |
-40～125 |
23.0*23.0 |
白色 |
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。
注3：di/dt@125℃@2XIT。
注4：VTM@3XIT。
注5：陽面、陰面金屬為鈦鎳銀，陰面金屬可做鋁。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
注7：本系列產(chǎn)品享有發(fā)明專利（CN1783516A）。
四、高壓雙向可控硅芯片
|
芯片尺寸 |
正向電流 |
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓 |
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ) |
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅳ) |
門極觸發(fā)電壓 |
通態(tài)最大浪涌電流 |
斷態(tài)電壓臨界上升率 |
通態(tài)電流臨界上升率 |
通態(tài)峰值壓降 |
維持電流 |
結(jié)溫 |
管芯尺寸 |
保護膠顏色 |
| mm | A | V | mA |
mA |
V | A | V/us | A/us | V | mA | ℃ | mm |
|
| 7.6*7.6 | 25 | 1600/1800 | 20-50 | 30-100 | ≤1.50 | 400 | 1000 | 100 | ≤1.55 | 20-100 | -40～125 | 9.0*9.0 |
紅色+白色 |
|
9.6*9.6 |
50 | 1600/1800 | 20-60 | 30-100 |
≤1.50 |
800 |
1000 |
100 |
≤1.55 |
20-100 |
-40～125 |
11.0*11.0 |
紅色+白色 |
|
11.5*11.5 |
70 |
1600/1800 |
20-60 | 30-100 |
≤1.50 |
1200 |
1200 |
120 |
≤1.55 |
20-100 |
-40～125 |
13.0*13.0 |
紅色+白色 |
|
13.8*13.8 |
100 |
1600/1800 |
20-70 | 50-120 |
≤1.50 |
1650 |
1200 |
120 |
≤1.55 |
25-150 |
-40～125 |
15.0*15.0 |
紅色+白色 |
| 16.5*16.5 | 150 |
1600/1800 |
30-70 |
50-140 |
≤1.50 |
2500 |
1200 |
120 |
≤1.55 |
20-150 |
-40～125 |
18.0*18.0 |
紅色+白色 |
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。
注3：di/dt@125℃@2XIT。
注4：VTM@2XIT。
注5：陽面、陰面金屬為銀，陰面金屬可做鋁。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
五、三象限雙向可控硅芯片
|
芯片尺寸 |
正向電流 |
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓 |
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ) |
門極觸發(fā)電壓 |
通態(tài)最大浪涌電流 |
斷態(tài)電壓臨界上升率 |
通態(tài)電流臨界上升率 |
通態(tài)峰值壓降 |
維持電流 |
結(jié)溫 |
| mm | A | V | mA | V | A | V/us | A/us | V | mA | ℃ |
| 1.9*1.9 | 2 | 800 | ≤15 | ≤1.50 | 20 | 200 | 30 | ≤1.50 | ≤50 | -40～125 |
| 2.1*2.1 | 2 |
800 |
≤15 |
≤1.50 |
20 | 200 | 30 |
≤1.40 |
≤50 |
-40～125 |
| 2.4*2.4 | 4 |
800 |
≤20 |
≤1.50 |
40 | 400 | 40 |
≤1.50 |
≤60 |
-40～125 |
| 2.9*2.9 | 6 |
800 |
≤30 |
≤1.50 |
60 | 400 | 40 |
≤1.50 |
≤60 |
-40～125 |
|
3.2*3.2 |
8 |
800 |
≤30 |
≤1.50 |
80 | 500 | 40 |
≤1.50 |
≤60 |
-40～125 |
|
3.5*3.5 |
12 |
800 |
≤35 |
≤1.50 |
120 |
500 |
50 |
≤1.50 |
≤120 |
-40～125 |
|
3.9*3.9 |
16 |
800 |
≤35 |
≤1.50 |
160 |
500 |
50 |
≤1.50 |
≤120 |
-40～125 |
|
4.4*4.4 |
20 |
800 |
≤35 |
≤1.50 |
200 |
500 |
50 |
≤1.50 |
≤120 |
-40～125 |
|
5.5*5.5 |
26 |
800 |
≤35 |
≤1.50 |
260 |
500 |
50 |
≤1.50 |
≤120 |
-40～125 |
|
6.2*7.3 |
41 |
800 |
≤35 |
≤1.50 |
420 |
500 |
50 |
≤1.50 |
≤120 |
-40～125 |
| 6.2*7.3 | 30 | 1600 |
≤35 |
≤1.50 |
320 | 550 |
50 |
≤1.50 |
≤120 |
-40～125 |
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。
注3：di/dt@125℃@2XIT。
注4：VTM@2XIT。
注5：陽面金屬層為銀，陰面金屬層為鋁，也可做銀。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
六、四象限雙向可控硅芯片
|
芯片尺寸 |
正向電流 |
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓 |
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ) |
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅳ) |
門極觸發(fā)電壓 |
通態(tài)最大浪涌電流 |
斷態(tài)電壓臨界上升率 |
通態(tài)電流臨界上升率 |
通態(tài)峰值壓降 |
維持電流 |
結(jié)溫 |
| mm | A | V | mA |
mA |
V | A | V/us | A/us | V | mA | ℃ |
| 1.05*1.05 | 0.5 | 800 | ≤15 |
≤25 |
≤1.50 | 5 | 200 | 30 | ≤1.50 | ≤50 | -40～125 |
| 1.3*1.3 | 0.8 |
800 |
≤15 |
≤25 |
≤1.50 |
8 | 200 | 30 |
≤1.40 |
≤50 |
-40～125 |
| 1.5*1.5 | 1 |
800 |
≤15 |
≤25 |
≤1.50 |
10 | 200 | 30 |
≤1.50 |
≤50 |
-40～125 |
| 1.6*1.6 | 1 |
800 |
≤15 |
≤25 |
≤1.50 |
10 | 200 | 30 |
≤1.50 |
≤50 |
-40～125 |
|
1.9*1.9 |
2 |
800 |
≤15 |
≤50 |
≤1.50 |
20 | 200 | 30 |
≤1.50 |
≤50 |
-40～125 |
|
2.1*2.1 |
2 |
800 |
≤15 |
≤50 |
≤1.50 |
20 |
200 |
30 |
≤1.50 |
≤50 |
-40～125 |
|
2.4*2.4 |
4 |
800 |
≤20 |
≤50 |
≤1.50 |
40 |
200 |
40 |
≤1.50 |
≤60 |
-40～125 |
|
2.9*2.9 |
6 |
800 |
≤25 |
≤50 |
≤1.50 |
60 |
400 |
40 |
≤1.50 |
≤60 |
-40～125 |
|
3.2*3.2 |
8 |
800 |
≤25 |
≤50 |
≤1.50 |
80 |
400 |
40 |
≤1.50 |
≤60 |
-40～125 |
|
3.5*3.5 |
12 |
800 |
≤35 |
≤100 |
≤1.50 |
120 |
500 |
50 |
≤1.50 |
≤120 |
-40～125 |
| 3.9*3.9 | 16 | 800 |
≤35 |
≤100 |
≤1.50 |
160 | 500 |
50 |
≤1.50 |
≤120 |
-40～125 |
|
4.4*4.4 |
20 |
800 |
≤35 |
≤100 |
≤1.50 |
200 |
500 |
50 |
≤1.50 |
≤120 |
-40～125 |
| 5.5*5.5 | 26 |
800 |
≤35 |
≤100 |
≤1.50 |
260 |
500 |
50 |
≤1.50 |
≤120 |
-40～125 |
| 6.2*7.3 | 41 |
800 |
≤35 |
≤100 |
≤1.50 |
420 |
500 |
50 |
≤1.50 |
≤120 |
-40～125 |
| 6.2*7.3 | 30 | 1600 |
≤35 |
≤100 |
≤1.50 |
320 |
500 |
50 |
≤1.50 |
≤120 |
-40～125 |
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。
注3：di/dt@125℃@2XIT。
注4：VTM@2XIT。
注5：陽面金屬為銀，陰面金屬為鋁，也可做銀。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
七、高壓單向軟啟動可控硅芯片
|
裸片尺寸 |
正向電流 |
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓 |
斷態(tài)臨界電壓上升率 |
通態(tài)電流臨界上升率 |
管芯尺寸 |
保護膠顏色 |
| mm | A | V | V/us | A/us | mm |
|
| 11.5*11.5 | 70 | 1600/1800 | ≥800 | 200 | 13.0*13.0 | 白色 |
| 13.8*13.8 | 100 |
1600/1800 |
≥1000 |
200 |
15.0*15.0 |
白色 |
| 15.0*15.0 | 120 |
1600/1800 |
≥1000 |
200 |
16.0*16.0 |
白色 |
|
16.5*16.5 |
150 |
1600/1800 |
≥1000 |
200 |
18.0*18.0 |
白色 |
| 19.1*19.1 | 180 |
1600/1800 |
≥1000 |
200 |
21.0*21.0 |
白色 |
| 21.6*21.6 | 200 |
1600/1800 |
≥1000 |
200 |
23.0*23.0 |
白色 |
注1：di/dt@125℃@2XIT。其它電參數(shù)與HSCRXXA-XX同電流規(guī)格相同。
注2：HSCRXXA-XX同電流規(guī)格參數(shù)。
注3：本系列產(chǎn)品享有發(fā)明專利（CN104347686A）。
八、門極靈敏型單向可控硅芯片
|
芯片尺寸 |
正向電流 |
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓 |
門極觸發(fā)電流 | 門極觸發(fā)電壓 | 通態(tài)最大浪涌電流 |
斷態(tài)電壓臨界上升率 |
通態(tài)峰值壓降 |
維持電流 |
結(jié)溫范圍 |
| mm | A | V | mA | V | A | V/us | V | mA | ℃ |
| 0.9*0.9 | 0.5 | 600/800 | 10-80 | ≤0.80 | 5 | ≥10 | ≤1.80 | ≤5 | -40～110 |
| 1.05*1.05 | 0.8 |
600/800 |
10-80 |
≤0.80 |
5 |
≥10 |
≤1.80 |
≤5 |
-40～110 |
| 1.5*1.5 | 2.0 |
600/800 |
10-80 |
≤0.80 |
20 |
≥10 |
≤1.80 |
≤5 |
-40～110 |
| 1.8*1.8 | 3.5 |
600/800 |
10-80 |
≤0.80 |
36 |
≥15 |
≤1.80 |
≤5 |
-40～110 |
注2：dv/dt@110℃@2/3VDRM。
注3：VTM@3XIT。
注4：陽面金屬為銀，陰面金屬為鋁，適用鍵合工藝。
注5：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
九、電焊機專用可控硅芯片
|
芯片尺寸 |
正向電流 |
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓 |
門極觸發(fā)電流 | 門極觸發(fā)電壓 | 通態(tài)最大浪涌電流 |
斷態(tài)電流臨界上升率 |
通態(tài)峰值壓降 |
維持電流 |
結(jié)溫 |
管芯尺寸 | 保護膠顏色 |
| mm | A | V | mA | V | A | A/us | V | mA | ℃ | mm |
|
| 9.6*9.6 | 50 | 600 | 20-60 | ≤1.50 | 1000 | ≥50 | 1.25 | 20-100 | -40～125 | 11.0*11.0 | 綠色 |
| 11.5*11.5 | 70 |
600 |
20-80 |
≤1.50 |
1400 |
≥50 |
1.25 |
25-100 |
-40～125 |
13.0*13.0 |
綠色 |
| 13.8*13.8 | 100 |
600 |
20-80 |
≤1.50 |
2000 |
≥100 |
1.25 |
25-150 |
-40～125 |
15.0*15.0 |
綠色 |
| 15.0*15.0 | 120 |
600 |
30-80 |
≤1.50 |
2400 |
≥100 |
1.25 |
30-150 |
-40～125 |
16.0*16.0 |
綠色 |
| 16.5*16.5 | 150 |
600 |
30-80 |
≤1.50 |
3000 |
≥100 |
1.25 |
30-150 |
-40～125 |
18.0*18.0 |
綠色 |
| 19.1*19.1 | 180 |
600 |
30-80 |
≤1.50 |
3600 |
≥100 |
1.25 |
30-150 |
-40～125 |
21.0*21.0 | 綠色 |
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。
注3：di/dt@125℃@2XIT。
注4：VTM@3XIT。
注5：陽面、陰面金屬為銀，陰面金屬可做鋁。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
注7：本系列產(chǎn)品享有發(fā)明專利（CN1783516A）。
十、壓接式高壓單向可控硅芯片
|
芯片尺寸 |
正向電流 |
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓 |
門極觸發(fā)電流 | 門極觸發(fā)電壓 | 通態(tài)最大浪涌電流 |
斷態(tài)臨界電壓上升率 |
通態(tài)電流臨界上升率 |
通態(tài)峰值壓降 | 維持電流 | 結(jié)溫 |
保護膠顏色 |
| mm | A | V | mA | V | A | V/us | A/us | V | mA | ℃ |
|
| ?26 | 150 | 1600/1800 | 40-60 | ≤1.50 | 440 | ≥1000 | ≥100 | ≤1.60 | 40-150 | -40～125 | 白色 |
|
?30 |
200 |
1600/1800 |
40-60 |
≤1.50 |
660 |
≥1000 |
≥100 |
≤1.60 |
40-150 |
-40～125 |
白色 |
|
?35 |
300 |
1600/1800 |
40-60 |
≤1.50 |
880 |
≥1000 |
≥100 |
≤1.70 |
40-150 |
-40～125 |
白色 |
|
?40 |
500 |
1600/1800 |
40-60 |
≤1.50 |
1100 |
≥1000 |
≥100 |
≤1.80 |
40-150 |
-40～125 |
白色 |
|
?45 |
800 |
1600/1800 |
40-60 |
≤1.50 |
1550 |
≥1000 |
≥100 |
≤1.80 |
40-150 |
-40～125 |
白色 |
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。
注3：di/dt@125℃@2XIT。
注4：VTM@3XIT。
注5：芯片金屬為正鋁背銀。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
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